“NMOS电路是基于N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管构建的，要掺杂形成N沟道，那就只有P型底衬或P型外延层底衬。
但是P型外延层底衬的工艺更加复杂，所以我估计设计者还是得选P型底衬。”
伍开德听到这里都惊呆了，因为陈望不仅说得没错，而且连当初永光电子厂在设计时为什么选P型底衬没有选外延层底衬的原因都说对了！
设计这款集成电路时他也参与过研究，当时要不是实在没办法稳定、批量、控制成本的生产出高质量的外延片，他们肯定会选性能更高、功耗更低的外延片底衬。
陈望没有注意伍开德脸上的惊诧继续说道：“至于晶向嘛，那就更简单了，＜100＞晶向的硅晶在热生长二氧化硅时能产生最低的界面态密度。
而最低的界面密度能降低载流子的缺失，从而生长出质量最高、电学特性最稳定的栅氧化层。
所以如果要保证NMOS器件的性能和良率，＜100＞晶向是最好的选择。”
陈望根本没把推测出NMOS电路的单晶硅的掺杂类型和晶向当成一个问题，因为在他看来这就是一眼能看出来的事，说这么多就是想问伍教授四机部什么时候把制备半导体的仪器设备送过来。
既然已经让他开始拉制轻掺杂的单晶硅，那他也是时候自己研发芯片了！
伍开德听完陈望的问题一时不知道该说什么，因为陈望到之前他满脑子都还想的是该怎么攻克轻掺杂工艺的难点。
但陈望现在却在跟说要设计研发芯片......
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