而且，其中掩膜需要严格对准套刻的，只有第二次栅光刻，其他时候的对准要求都不是那么高，这就让手上的技术条件有限，捉襟见肘的高振东感到很舒服。
抛开封装，只是从硅片到布满成品芯片核心（DIE）的半成品，只需要12步工艺，就这，还包括准备硅片那一步工艺。
甚至不想要钝化那一步的话，只要前4次光刻就足够了，与之相应的工艺也减少到了10步。
这是真的简单，而且对材料的要求也不高。
只需要考虑引入三种元素。
——形成氧化保护层的氧、形成栅极的硼、还有形成金属导线的铝。
其中铝都不用考虑掺杂扩散的问题，只是用于沉积。
某退休老头：真是太好玩儿了.jpg。
而NMOS和CMOS的难度，可就比PMOS大多了，PMOS别的不说，至少做逻辑集成电路没问题，而且，这玩意10μm的制程是能做C8008的，其实做更高的制程也没问题。
选定了PMOS，高振东很快就把工艺路线给确定下来了。
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