“后年则是有望进一步推动到十纳米工艺。”
“大后年则是推动到七纳米工艺！”
“因为上述一系列的工艺进步，都是基于现有的多重曝光技术以及3D晶体管技术的深度挖掘推进，受到光刻机物理极限的限制，晶体管上的栅极长度技术推进上，整体幅度是比较小的，可能就是两纳米，甚至一纳米的微小进步。”
“更主要的工艺进步还是基于3D晶体管的设计以及多重曝光技术的提升，而这方面我们的工艺研发部门有比较大的信心。”
“我们的技术团队判断，在推进到等效七纳米工艺之前，我们不会遇到太大的关键性技术难题，倒是等效七纳米之后的工艺推进会非常麻烦，但这并不是工艺的问题，而是光刻机的问题。”
“我们的等效七纳米工艺的前期研发里，准备采用的技术就是使用现有的DUV浸润式光刻机进多重曝光，只是这样做生产效率低，而且良率也低，成本会比较高。”
“技术部门认为，如果要实现比等效七纳米更低的工艺，最好还是使用光源波长更短的EUV光刻机，继续使用DUV浸润式光刻机的话，在成本上很难接受，商业化比较困难。”
“当然，现在没有EUV光刻机，时间也太早，我们暂时不谈比七纳米更小的未来工艺，我们目前聚焦的还是十八纳米，十四纳米，十纳米以及未来七纳米这四个可以基于现有DUV浸润式光刻机生产的工艺节点。”
“基于工艺技术的快速进步，我们也需要做好相应的先进生产线的提前准备工作，因此新项目的投资建设是必须的。”
“毕竟工艺的提升，和芯片工厂的技术提升是密不可分的，也是相辅相成的，不然光有工艺没有工厂也无济于事。”
对这个说法，徐申学在内的其他人也表示同意，这个亏他们在今年算是吃上了，决不能明年继续吃这种亏。
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