后年的S18手机，则是采用7纳米工艺。
一年一个台阶，持续进步，提升S系列手机的性能，并维持S系列手机的性能优势。
至于大后年的话，估计还是继续使用7纳米工艺……因为智云微电子这边的等效5纳米工艺，至今都还没有什么太好的办法。
现有的HDUV-600浸润式光刻机搞个七纳米就已经到了极限，可搞不了等效五纳米工艺了……这款光刻机，其实用来生产十纳米或十四/十二纳米工艺节点才是最适合的。
而等效五纳米的话，如果使用DUV浸润式光刻机来生产，至少得使用八重曝光，对套刻精度的要求是非常高的，套刻精度最少也得一点五纳米。
而正在研发当中，预计要两年后才能够出货的HDUV-700光刻机，其套刻精度也才两纳米而已，根本达不到技术要求。
至于一点五纳米的套刻精度，有这技术直接搞EUV光刻机就完事了，费那劲搞什么DUV浸润式光刻机啊。
毕竟海湾科技里正在研发当中的第一代EUV光刻机，规划的套刻精度也才两纳米；处于项目早期阶段，不知道什么时候才能完善的第二代EUV光刻机才一点五纳米的套刻精度。
一点五纳米的套刻精度，这还早着呢。
这也意味着，等突破等效七纳米工艺之后，可能好几年里智云微电子都无法进一步往下突破工艺了，只能是搞各种七纳米工艺的改进版。
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