为了做到这一点，这可不容易。
主要是储存芯片领域里的十六纳米，可不是逻辑芯片生产领域里的等效十六纳米，而是实打实的十六纳米工艺的技术推进，直接把储存芯片的晶体管间距缩小到这个程度。
其技术工艺难度可是非常大的，几乎就是奔着当下海湾科技最先进的HDUV-600B型浸润式光刻机的物理极限去了。
而这款光刻机，也是目前华夏里最先进的光刻机，除了生产效率略差ASML的NXT1980外，其他方面的性能数据都差不多……价格还要更便宜一些。
当然，实际也便宜不到哪里去，一台要八千万美元呢，比之前的A型还要贵了两百万。
这贵的两百万，主要体现在稳定性，生产销量的提升。
至于套刻精度这些都一样，都是二点五纳米。
而在当下，也只有利用这种最先进的光刻机，才能够稳定生产等效十纳米工艺甚至七纳米工艺的逻辑芯片，也才能够生产10B工艺，实际工艺节点为十六纳米工艺的储存芯片。
第二十八厂采用的10B工艺生产出来的LPDDR4芯片，也就是全新一代的智云S17系列手机上采用的运行内存芯片！
所以等到S17发布的时候，它上面搭载的各类芯片，不仅仅是SOC是全球最顶级的，它所搭载的DRAM，也就是运行内存芯片，同样也将会是全球最顶级的；而储存芯片同样是最顶级的。
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