“从去年开始，我们开始第三代试验机的深度改进研发，主要是进一步提升分辨率以及套刻精度，此外也进一步提升机台的工作效率以及稳定性，为商业化生产做准备。”
“通过大量的技术研发，在仙女山旗下众多合作企业的配合下，我们先后对光源系统，曝光系统，机台系统等进行了大幅度的技术升级！”
“最终，我们做出来了这台第三代的试验机，同时也是量产型号的原型机：HEUV-300A型！”
“经过大量的技术升级，目前我们的这台HEUV-300A，分辨率已经达到了十三纳米，数值孔径为0.33，最重要的是套刻精度提升到了2纳米。”
“其中套刻精度的提升是一个巨大的技术进步，这意味着我们可以使用这台光刻机低成本的生产等效7纳米工艺的芯片，甚至生产等效五纳米工艺的芯片！”
徐申学搞了这么多年的半导体，多少对半导体设备以及工艺之间的关系能搞清楚了。
光是一听这个十四纳米工艺的分辨率，他就知道这台EUV光刻机的巨大价值了。
芯片工艺能做到做好，是和光刻机的分辨率以及套刻精度息息相关的。
芯片工艺的好坏，芯片工厂一般用等效工艺来进行宣传，智云的十八纳米、十四纳米、十二纳米、十纳米都是属于等效工艺，台积电那边的二十纳米、十六纳米、十纳米工艺也是属于等效工艺……并不是说芯片的金属间隔真达到了这个程度。
芯片行业内一般使用多个关键数据来判断芯片工艺的好坏，而其中和光刻机关系最大的就是半金属间距了。
如智云半导体的十四纳米工艺，其半金属间距是四十三纳米；而今年刚推向市场的等效十纳米工艺，其半金属间距是三十二纳米。
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