同时，这两家半导体厂商，现在也开始指望用EUV光刻机搞后续的七纳米工艺……用DUV浸润式光刻机玩四重曝光，然后搞等效七纳米，太尼玛难了。
所以，DUV浸润式光刻机受限于本身的分辨率限制，别说搞等效五纳米了，就算是用来做等效七纳米工艺，也是千难万难……也不是搞不了，而是良率太低了，进而导致芯片成本暴涨。
而芯片可是一个非常讲究性价比的东西，你性能没提升多少，但是成本暴涨好几倍，这是没有市场价值可言的。
到了等效七纳米工艺这个阶段，其实就需要EUV光刻机了……因为它的分辨率更低，哪怕是单次曝光也能够达到DUV浸润式光刻机四重曝光的精度……这意味着什么？
省钱啊！
哪怕EUV光刻机更贵，生产效率更低，但是因为不需要四重曝光就能生产等效七纳米乃至五纳米工艺的芯片，因此生产出来的等效七纳米，五纳米工艺的芯片，其成本依旧低于DUV浸润式光刻机。
当然，EUV光刻机的潜力更大，后续还能够生产性能更好的芯片，这也是现在的DUV浸润式光刻机所无法做到的。
比如等到未来，芯片工艺技术进一步发展，芯片的半金属间距进一步提升到四十多纳米、三十多纳米，甚至二十多纳米、十多纳米的时候……DUV浸润式光刻机是无论如何都做不到的，这都和工艺没啥关系，而是物理极限就摆在这里，不能忽视基本的物理规律啊！
七纳米和五纳米阶段省钱，性价比高。
等效三纳米，二纳米，一点五纳米，一纳米阶段则是硬需求……没它就造不了。
上述这两点，就是徐申学不管如何都要搞EUV光刻机的缘故！
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